探究大尺寸单晶金刚石合成的路径与挑战

发布时间：2024-10-31 09:14:58 | 浏览量： 35次

金刚石，因其出色的机械强度、优异的电学特性、卓越的热传导性以及独特的光学性能，在众多领域都展现出了巨大的应用潜力。而如何实现大尺寸金刚石的合成，成为了当前科研和工业生产中亟待解决的关键性问题。这一挑战不仅关乎金刚石材料的进一步拓展应用，更对推动相关领域的科技进步具有重要意义。

合成大尺寸金刚石的主要路线

HPHT法，作为传统的金刚石合成方法，虽然在一定程度上能够实现金刚石的批量生产，但其受到高压设备体积的限制，使得晶体尺寸的提升空间有限。此外，HPHT法在合成过程中需要引入催化剂来促进成核，这往往导致金刚石内部杂质含量较高，难以有效减少。

相比之下，CVD法展现出了更大的优势。它拥有更大的有效生长空间，且使用的原材料纯度较高，从而能够合成出纯度更高的金刚石。尤其在掺杂处理方面，CVD法具有显著的优势。其中，微波等离子体化学气相沉积法（MPCVD）更是被广泛认为是目前合成单晶金刚石的最佳方法。

在CVD法合成金刚石的过程中，根据衬底种类的不同，可以进一步分为异质外延法和同质外延法。而合成大尺寸金刚石则主要存在三种具体路线：

1、三维生长（单颗生长）：这种方法通过优化生长条件，使得金刚石在单个籽晶上实现三维方向的均匀生长。其优势在于能够制备出高质量的晶体，且位错密度较低。然而，随着晶体尺寸的增大，生长界面的稳定性成为制约其进一步发展的关键因素。同时，由于生长界面的不断变化，内部缺陷和位错逐渐增多，即使对表面进行打磨再生长，最终切割后仍有较高的破损概率。由于受到各种加工因素的限制，三维生长法并不是最优的选择。

2、拼接生长：该方法通过精确控制多个小尺寸金刚石的生长方向和晶向，将它们拼接在一起形成大尺寸的金刚石。虽然这种方法能够实现大尺寸金刚石的制备，但拼接区域的晶向匹配和应力控制成为技术难点。

3、异质外延法：由于高质量的单晶金刚石衬底难以获得，因此选择合适的异质衬底进行单晶金刚石的外延生长成为制备英寸级单晶金刚石的理想方案。在CVD沉积过程中，生长过程可以分为形核和晶体长大阶段。初始形核通过重组周围碳原子的排列，不断扩大形核区域，最终形成规则的金刚石晶体。提高形核密度以及选择合适的异质衬底是成功实现金刚石异质外延生长的关键因素。在衬底材料的选择方面，经过多年的研究探索，被认为是最优的选择，它是目前唯一能够实现高质量、大尺寸金刚石异质外延生长的衬底材料。 



技术攻克

金刚石衬底的尺寸需求正不断向英寸级大晶圆面积迈进，特别是在化学气相沉积（CVD）技术领域内。鉴于天然大尺寸金刚石材料储备稀缺、价格昂贵且质量参差不齐，难以满足日益增长的工业化应用需求，因此，利用微波等离子体化学气相沉积（MPCVD）技术制备英寸级单晶金刚石已成为亟待攻克的核心技术难题。

在切割与剥离环节，单晶金刚石在籽晶上完成生长后，需具备便捷、无损的切割与剥离能力。当前，CVD单晶金刚石的剥离主要依赖于激光切割技术，然而，该技术存在易导致材料破损、效率偏低等局限性。

至于研磨与抛光工序，单晶金刚石表面的粗糙度及面型精度必须严格符合功能器件的高标准要求，特别是在半导体衬底器件领域，这些指标更是至关重要。实现英寸级单晶金刚石的高精度研磨与抛光，依然是一个亟待解决的重大技术挑战。