发布时间:2025-02-08 15:05:34 | 浏览量: 54次
金刚石,作为自然界已知最坚硬的材料,一直被誉为“材料之王”。而随着电子器件越来越小、功率越来越高,散热成为制约性能的“头号难题”。传统材料(如铜、硅)热导率有限,而金刚石的热导率是铜的 5倍以上,堪称“散热王者”!但天然金刚石储量稀少,价格昂贵,难以满足工业需求。同时大尺寸高导热金刚石制备成本高、工艺复杂,那如何实现高效又经济的生产?
多晶金刚石散热片的制备工艺
哈尔滨工业大学团队采用 MPCVD技术,在真空环境中通过微波激发气体(氢气、甲烷、氮气),让碳原子在硅衬底上“生长”成金刚石。
关键突破
甲烷浓度:降低甲烷比例(从8%降至5%),减少杂质碳沉积,提升晶体质量。
生长温度:提高温度(930~950℃),促进晶粒横向扩展,让结构更致密。
实验结果:高热导率+低翘曲
团队制备了5组样品(S1-S5),发现:
最优性能:样品S3(甲烷5%,温度930℃)热导率高达 1208 W/(m·K),翘曲值仅37微米,远超国际同类产品(如Element Six的1000-2200 W/(m·K))。
速度与质量的平衡:虽然降低甲烷会减缓生长速率(5.8 μm/h),但热导率显著提升,且翘曲更小,后期加工更容易。
通过X射线衍射和拉曼光谱分析发现:
<111>晶面主导:晶体排列更规整,减少晶界缺陷。
低甲烷+高温:抑制非晶碳生成,晶粒尺寸更大,热传导路径更畅通。
与国外领先企业Element Six和Sumitomo Electric Industries相比,本研究通过优化工艺参数,实现了热导率超过1200 W/(m·K)的多晶金刚石散热片的制备,同时保证了较高的生长速率(5.8微米/小时)和较低的翘曲值(37微米)。通过后续工艺改进,有望实现更高速率下高导热金刚石散热片的制备,从而有效降低其生产成本。
这一突破性进展,不仅为多晶金刚石的研究和应用开辟了新路径,也让 MPCVD 技术再次成为行业焦点。
50200A MPCVD设备
在MPCVD 技术的应用与发展中,碳方程的最新产品 ——50200A MPCVD 设备,凭借着卓越的性能和领先的技术,为多晶金刚石的生长提供了更强大、更高效的解决方案。
碳方程的50200A MPCVD设备在生长多晶产品方面优势显著,设备采用915MHZ的微波频率,单炉可生产8英寸多晶产品,若用于生产单晶金刚石,单炉能够稳定产出多达 489 片尺寸为 7*7mm 的单晶金刚石。设备运行功率方面,采用50KW大功率装置,更大尺寸的多晶产品意味着更高的生产效率和更低的单位成本,能够满足客户大规模生产的需求。同时,我们的设备在技术方面也有着诸多创新和突破,确保了产品的高质量和稳定性。有效降低生产成本,提高产品的市场竞争力。
未来应用前景
多晶金刚石散热片在以下领域具有广阔的应用前景:
高性能电子器件散热:多晶金刚石散热片可广泛应用于高功率电子器件(如5G基站、激光器、功率放大器等),解决散热瓶颈,提升器件性能和寿命。
半导体行业:在集成电路、CPU、GPU等芯片中,多晶金刚石可作为高效散热材料,满足微型化、高功率化的发展需求。
5G/6G通信:用于射频器件和功率放大器的散热。
新能源汽车:用于电动汽车的功率模块(如IGBT)散热,提高能源利用效率,延长电池寿命。
航空航天领域:在高温、高功率密度的航空航天电子设备中,多晶金刚石散热片可提供优异的散热性能,保障设备稳定运行。
LED照明:用于高亮度LED的散热基板,降低工作温度,提高发光效率和寿命。
通过不断优化制备工艺,多晶金刚石散热片有望成为未来高效散热解决方案的重要组成部分,为电子器件的性能提升提供强有力的支持。
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