钻石：“终极”半导体材料，“六边形战士随着半导体遵循着摩尔定律纳米制程进步、TDP（热设计功耗）上升，芯片热流密度变得越来越高，散热革命成为AI、HPC时代最大挑战。当芯片表面温度达到70-80℃时，温度每增加1℃，芯片可靠性就会下降10%；设备故障超过55%与过热直接相关。金刚石是已知热导率最高的材料，热导率达硅（Si
更新时间：2024-12-13浏览量：65
随着半导体芯片的系统集成向更高密度、更多功能、更大功率和智能化的方向发展，芯片内部高性能高功率处理区域中单位面积的发热量也不断增加。通常，将芯片内的高性能高功率处理区域称为热点区域。热点区域作为芯片内的主要热源，若热点区域的温度较高，会导致芯片总体性能较差。金刚石以其低介电常数、高导热率以及良好的机
更新时间：2024-12-13浏览量：99
近年来，在半导体行业中，金刚石逐渐成为了关注热点。为了实现绿色低碳的目标，过去几年中，半导体行业正在不断追求更高效、更强大的半导体器件。传统硅材料虽然被广泛使用，但在效率方面正日益逼近其极限，尤其是在高温和高压条件下。氮化镓（GaN）和碳化硅（SiC）等半导体材料的出现与发展，让行业突破了硅的限制，开发出
更新时间：2024-11-29浏览量：38
在电子产品日益追求高性能、轻薄化的今天，终端产品对性能要求的不断提升，发热量和散热表现已经成为半导体设计中不可忽视的重要因素。在这一背景下，金刚石材料凭借其卓越的热导率和物理特性，成为了散热领域的新宠。传统散热材料的局限性传统的散热材料，如石墨片、石墨烯等，虽然在一定程度上能够满足散热需求，但随着电
更新时间：2024-11-15浏览量：60
近年来，全球半导体产业竞争日益激烈，尤其是围绕宽带隙和超宽带隙半导体的技术创新，已经成为各国科技战略的关键焦点。此前我国对关键材料进行出口管制让很多国家开始调整战略。据Tom's hardware报道，由于中国在宽带隙半导体材料—氮化镓（GaN）供应方面的优势地位，近期又采取了出口管制措施，美国国防部高级研究计划
更新时间：2024-11-08浏览量：49
单晶金刚石，凭借其卓越的物理特性——超宽的禁带宽度、低介电常数、高击穿电压、杰出的热导率、优异的本征电子和空穴迁移率，以及无与伦比的抗辐射性能，被誉为半导体材料领域的“终极之选”。然而，尽管潜力巨大，单晶金刚石在半导体产业的大规模应用之路仍布满荆棘，尤其是大尺寸（英寸级）单晶金刚石衬底的制备技术，成
更新时间：2024-11-05浏览量：293
金刚石，因其出色的机械强度、优异的电学特性、卓越的热传导性以及独特的光学性能，在众多领域都展现出了巨大的应用潜力。而如何实现大尺寸金刚石的合成，成为了当前科研和工业生产中亟待解决的关键性问题。这一挑战不仅关乎金刚石材料的进一步拓展应用，更对推动相关领域的科技进步具有重要意义。合成大尺寸金刚石的主要路
更新时间：2024-11-01浏览量：76
金刚石，因其出色的机械强度、优异的电学特性、卓越的热传导性以及独特的光学性能，在众多领域都展现出了巨大的应用潜力。而如何实现大尺寸金刚石的合成，成为了当前科研和工业生产中亟待解决的关键性问题。这一挑战不仅关乎金刚石材料的进一步拓展应用，更对推动相关领域的科技进步具有重要意义。合成大尺寸金刚石的主要路
更新时间：2024-10-31浏览量：44
金刚石，以其无与伦比的材料特性，在量子与电子技术领域展现出了巨大的应用潜力。然而，单晶金刚石的异质外延生长技术尚存在局限性，这在一定程度上阻碍了金刚石基技术的进一步集成与发展。针对这一挑战，芝加哥大学的研究团队成功地将单晶金刚石膜直接键合至多种材料之上，包括硅、熔融石英、蓝宝石、热氧化物以及铌酸锂等
更新时间：2024-10-31浏览量：40
金刚石凭借其卓越的电学性能——超宽的带隙、超高的击穿场强以及出类拔萃的电子与空穴迁移率，正稳步迈向“终极半导体”的宝座。在声学领域，金刚石傲拥有极其高的表面声波速度与惊人的杨氏模量。在光学上，金刚石能够传递从远红外至紫外、能量低于其带隙的光子。在热学上，金刚石的导热效率远超铜质材料。正是这些全方位的
更新时间：2024-10-24浏览量：68
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